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用鐵電存儲器FRAM讓穿戴式設(shè)備更省電
可穿戴設(shè)備應(yīng)用中的顯示屏消耗了大部分電池電力。解決方法之一是直接提高電池容量，但是大容量電池會加大尺寸和重量，對可穿戴設(shè)備不合適，
2021-02-19
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NAND Flash wafer第一季合約價將止跌回穩(wěn)
近兩周以來，主要由于筆電需求仍持續(xù)增加，PC OEM對供應(yīng)商進一步積極要求加單client SSD，造成NandFlash需求同步增溫。除此之外上游供應(yīng)
2021-02-07
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?Cypress非易失性FRAM
賽普拉斯半導(dǎo)體提供全面的串行和并行FRAM（鐵電RAM）非易失性存儲器產(chǎn)品組合，以在電源中斷時立即捕獲并保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)記錄
2021-02-05
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Everspin MRAM非易失性存儲器的五大優(yōu)勢
說了這么多MRAM在結(jié)構(gòu)上的內(nèi)容，那么MRAM的優(yōu)勢究竟有哪些呢?下面我們分幾點一起來看看:首先，MRAM是非易失性存儲器，也就是斷電后MRAM依舊
2021-02-04
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NOR Flash市場規(guī)模增速喜人
NOR Flash和Nand Flash是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nand Flash具有容量大、單位容量成本低等特點是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。
2021-02-03
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Everspin MRAM MR3A16ACMA35替換Fujitsu FRAM MB85R8M2T
Everspin是設(shè)計制造和商業(yè)銷售分立磁阻RAM（MRAM）到市場和應(yīng)用的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在這些市場和應(yīng)用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至
2021-02-02
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