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選擇MRAM最佳測(cè)試算法
嵌入式內(nèi)存測(cè)試和修復(fù)的挑戰(zhàn)是眾所周知的，包括最大程度地?cái)U(kuò)大故障覆蓋范圍以防止測(cè)試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著
2020-10-10
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通用選擇器將大大提高M(jìn)RAM存儲(chǔ)技術(shù)能力
MRAM存儲(chǔ)器可以抵抗高輻射，也可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM存儲(chǔ)器適用于汽車和工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對(duì)于MRAM存儲(chǔ)器開發(fā)人員來說是重要的部分。
2020-10-09
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FRAM低功耗設(shè)計(jì)使寫非易失性數(shù)據(jù)操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1 3，而FRAM的待機(jī) 睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機(jī) 睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對(duì)功耗產(chǎn)生巨
2020-09-30
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新興記憶存儲(chǔ)MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低電壓電平下引入誤碼率，從而在保持精度的同時(shí)進(jìn)一步降低了功耗要求。關(guān)鍵在于確定最低電壓和最短時(shí)間的最佳精度。這轉(zhuǎn)化為最高的能源效率。
2020-09-29
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Everspin MRAM替換FRAM
可靠性考慮比較FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲(chǔ)器件，這些材料具有一個(gè)固有的電偶極子，該偶極子在外部電場(chǎng)的作用下轉(zhuǎn)換為相反的極性。 FRAM
2020-09-28
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實(shí)例說明寫入FRAM的零時(shí)鐘周期延遲的影響
一個(gè)典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時(shí)間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致寫入時(shí)間較長(zhǎng)。相比之下的FRAM不會(huì)使這種寫操作變慢;
2020-09-27
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