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STT-MRAM以優(yōu)良的性能成為熱門的候選器件
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本
2021-12-08
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MCU市場(chǎng)應(yīng)用和競(jìng)爭(zhēng)
現(xiàn)今的MCU已經(jīng)演變成為完整的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)，微處理器內(nèi)核的主頻從4M到200MHz不等;片上模擬模塊包括ADC、運(yùn)放和DAC等;內(nèi)置的存儲(chǔ)器包括Fl
2021-12-06
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新一代MRAM放眼更廣泛應(yīng)用
在MRAM這類內(nèi)存寫入時(shí)，組件的穿隧氧化層會(huì)承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這
2021-12-02
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實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T
鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用鐵電文件作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器的存儲(chǔ)器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫入速度、低
2021-11-26
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使用非易失性FRAM存儲(chǔ)器替換SRAM時(shí)的問(wèn)題和解決方案
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通新推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8MbitFRAM存儲(chǔ)
2021-11-23
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芯片短缺影響DDR5產(chǎn)能
2022年將開始普及DDR5，其取代DDR步伐越來(lái)越快，由于芯片的短缺，導(dǎo)致DDR5交期再次延長(zhǎng)到35周。就目前而言，在選購(gòu)方面兩者的選擇非常明顯
2021-11-19
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