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全球兩大半導(dǎo)體發(fā)表MRAM制造工藝新技術(shù)
但隨著制造成本降低以及其他內(nèi)存技術(shù)面對(duì)微縮挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM越來(lái)越受青睞。重要的是，隨著新的工藝技術(shù)進(jìn)展，SRAM內(nèi)存單元的尺寸并不會(huì)隨著其后的先進(jìn)工藝而縮小，因此MRAM將會(huì)變得越來(lái)
2019-12-19
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智能應(yīng)用激發(fā)靈動(dòng)微MCU大量需求
靈動(dòng)微婁方超表示智能應(yīng)用激發(fā)了MCU的大量需求，例如僅僅一個(gè)智能門就需要三顆MCU如果需要實(shí)現(xiàn)無(wú)線控制，還需要能支持無(wú)線藍(lán)牙的的MCU
2019-12-17
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靈動(dòng)微MCU ARM Cortex-M3系列的測(cè)試
ARM Cortex-M系列微處理器主要用于低成本和低功耗領(lǐng)域，如智能測(cè)量、人機(jī)接口設(shè)備、汽車和工業(yè)控制系統(tǒng)、大型家用電器、消費(fèi)性產(chǎn)品和醫(yī)療器械等領(lǐng)域。ARMCortex-M3內(nèi)核搭載了若干種調(diào)試相關(guān)
2019-12-11
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非易失性MRAM架構(gòu)說(shuō)明
正因?yàn)镾TT-MRAM是一種高性能的存儲(chǔ)器,足以挑戰(zhàn)現(xiàn)有的DRAM和SRAM等,因此非常有可能成為未來(lái)重要的存儲(chǔ)器技術(shù) 預(yù)計(jì)STT-MRAM可以擴(kuò)展至10nm以下制程,并挑戰(zhàn)快閃存儲(chǔ)器的更低成本
2019-12-09
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非易失性MRAM三個(gè)主要的應(yīng)用市場(chǎng)
根據(jù)調(diào)查指出，包括車用市場(chǎng)以及物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)，都是MRAM成長(zhǎng)動(dòng)能最高的領(lǐng)域。許多專家都預(yù)言，MRAM將帶來(lái)下一次的儲(chǔ)存浪潮。MRAM的主要特性
2019-12-05
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靈動(dòng)微MCU測(cè)試條件
自MCU出世以來(lái),隨著科技,物聯(lián)網(wǎng),智能化產(chǎn)品的出現(xiàn),被廣泛應(yīng)用在各種行業(yè)領(lǐng)域范圍中,也隨著市場(chǎng)的中高端產(chǎn)品的普遍發(fā)展,已由8位MCU逐漸變成
2019-12-03
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