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如何減小SRAM讀寫操作時的串擾
靜態(tài)存儲器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數(shù)據(jù)的存儲器。在SRAM 存儲陣列的設計中，經(jīng)常會出現(xiàn)串擾問題發(fā)生。那么要如何減小
2020-05-19
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SRAM中的功耗來源
在CMOS電路中，功耗的來源主要有兩個方面（1）靜態(tài)功耗，即反向漏電流造成的功耗；（2）動態(tài)功耗，由電路作開關轉換時進入過渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位靜態(tài)RAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術制造，并實現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。當
2020-05-13
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SRAM靈敏放大器的類型及設計思想
為了在設計中既能提高存儲單元的讀取速度，又能增大信號的擺幅，在設計中，我們采用了差分與交叉耦合級聯(lián)結構。
2020-05-11
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SRAM中靈敏放大器的原理
在SRAM 中，讀操作開始前，先要對兩條位線進行預充電，將兩條位線初始化為相同的高電平。預充完后，字線選中的存儲單元對位線進行充放電。
2020-05-08
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鐵電存儲器FRAM的結構及特長
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關
2020-05-06
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