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ST-MRAM類別及發(fā)展由來
隨著自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)以及材料和結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件應(yīng)運(yùn)而生。自從自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)被證實(shí)以來，一方面研究人員通過大量的努力嘗試降低磁化反轉(zhuǎn)的臨界電流
2020-01-14
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串行及并行接口SRAM區(qū)別之處
外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口?？紤]到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。
2020-01-10
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緩存應(yīng)用程序ST-MRAM流程和性能演示
英特爾顯示了2MB STT-MRAM陣列的L4緩存級應(yīng)用程序性能和可靠性。這要求在工業(yè)操作溫度范圍內(nèi)具有高密度，高帶寬和高耐久性。表I中所顯示STT-MRAM的L4高速緩存應(yīng)用程序所需的規(guī)范。
2020-01-08
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預(yù)期Nand-flash內(nèi)存需求市場及價(jià)格漲
威剛也指出，資料中心庫存已回復(fù)正常，需求可望逐步回溫提升，固態(tài)硬盤（SSD）與智能手機(jī)搭載容量成長，NAND Flash需求強(qiáng)勁，價(jià)格穩(wěn)定態(tài)勢有機(jī)會(huì)延續(xù)到第4季。
2020-01-06
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SPI NAND Flash滿足小型化需求
隨著5G網(wǎng)絡(luò)即將帶來的數(shù)據(jù)狂潮，萬物互聯(lián)對存儲芯片有了更高的需求，目前SPI SLC NAND 在PON、網(wǎng)通模塊、監(jiān)控等領(lǐng)域也逐步普及，SPI NAND有更快的寫入速度，且對于頻繁擦寫有著更高的穩(wěn)定性。
2020-01-02
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靈動(dòng)微MCU國產(chǎn)替代的本土芯片廠商
32位MCU是重點(diǎn)產(chǎn)品。這主要是基于未來物聯(lián)網(wǎng)的市場發(fā)展方向，MCU在未來具有想象不到的大市場，因?yàn)閹缀趺恳慌_設(shè)備每一個(gè)端都需要一顆MCU。未來物聯(lián)網(wǎng)需要很多無線連接，
2019-12-30
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