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STT-MRAM 的特性與難題
與DRAM 和 SRAM 具有相同特性的非易失性；基本上無限的耐久性；低電壓就能實(shí)現(xiàn)高速度；對 CMOS 友好。
2018-01-16
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下一代內(nèi)存是什么？
從上世紀(jì)90年代開始，MRAM 就是研發(fā)人員一直致力研發(fā)的幾種下一代內(nèi)存技術(shù)類型之一，這些都是能提供無線耐久性的非易失性技術(shù)。和閃存一樣，它們可以在系統(tǒng)電源關(guān)閉之后保留數(shù)據(jù)。反之
2018-01-15
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ST-MRAM崛起，新存儲時代開啟？
GlobalFoundries、三星、臺積電和聯(lián)電這四家代工廠計(jì)劃在今年或明年以嵌入式內(nèi)存解決方案的形式提供 MRAM，為這項(xiàng)下一代內(nèi)存技術(shù)奠定了最終將變革市場格局的基礎(chǔ)。
2018-01-12
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3D DRAM可延長DRAM存儲器的使用壽命
3D Super-DRAM是什么?為了要延長DRAM內(nèi)存的使用壽命在近期內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。那么什么是3D超級DRAM (Super-DRAM)呢？為什么
2018-01-11
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施耐德電氣采用賽普拉斯1MB串行nvSRAM
賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動化控制器中設(shè)計(jì)采用了cypress的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉斯的CY14B101Q2 1
2018-01-10
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EverSpin推動MRAM芯片的發(fā)展
目前EverSpin已簽訂了芯片制造商的全球代理工廠協(xié)議，作為其下一代MRAM（磁阻RAM）的內(nèi)存芯片制造合作伙伴，應(yīng)扶持優(yōu)秀的技術(shù)走向大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM是一種新興的存儲技術(shù)，能夠媲美SRAM的快
2018-01-08
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