內(nèi)存是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件之一，也稱內(nèi)存儲器和主存儲器，它可以滿足多種需求——從數(shù)據(jù)存儲到緩存、緩沖，以及最近的（內(nèi)存中）計算。它用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。它是外存與CPU進行溝通的橋梁，計算機中所有程序的運行都在內(nèi)存中進行，內(nèi)存性能的強弱影響計算機整體發(fā)揮的水平。
 
幾十年來，內(nèi)存格局一直沒有改變，從緩存到存儲都有清晰的層次結(jié)構(gòu)。靠近中央處理器(CPU)的快速、易失的嵌入式靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)是主要存儲器。芯片上還有更高的高速緩存存儲器，主要由SRAM或嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)技術(shù)制成。
 
在離CPU較遠(yuǎn)的片外，將主要發(fā)現(xiàn)用于工作存儲器的DRAM芯片、用于存儲的非易失性NAND閃存芯片以及用于長期存檔應(yīng)用的磁帶。一般來說，距離CPU越遠(yuǎn)的內(nèi)存越便宜、速度越慢、密度越大且易失性越低。
 
盡管內(nèi)存密度有了很大的提高，但所有這些內(nèi)存都在努力跟上邏輯芯片不斷提高的性能和巨大的數(shù)據(jù)增長率。這推動了對獨立和嵌入式應(yīng)用的替代內(nèi)存技術(shù)的探索。新興選擇范圍從緩存級應(yīng)用的新技術(shù)、改進DRAM設(shè)備的新方法、填補DRAM和NAND技術(shù)之間差距的新興存儲級存儲器、改進3D-NAND存儲設(shè)備和存檔類型應(yīng)用的解決方案。這些新興存儲器之一是磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。

本文關(guān)鍵詞：SRAM,MRAM,NAND閃存

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