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Cypress非易失性SRAM技術

來源: 日期:2019-12-23 10:22:24

非易失性SRAM(nv SRAM)結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下,nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行并行隨機訪問讀取和寫入的速度最快為20 ns。
 
發生電源故障時,nv SRAM會自動將SRAM數據的副本保存到非易失性存儲器中,該數據將受到20多年的保護。SRAM和非易失性存儲器之間的傳輸是完全并行的,從而允許在8 ms或更短的時間內完成操作,而無需任何用戶干預。上電時,nv SRAM將數據返回給SRAM,并且系統從中斷處繼續操作。nv SRAM還提供用戶控制的軟件STORE和RECALL啟動命令,以及大多數版本中的用戶控制的硬件STORE命令。
 
CYPRESS的nv SRAM具有行業標準的,符合RoHS的封裝選項,例如TSOP,FBGA,SSOP和SOIC封裝
 

Nv SRAM技術

Nv SRAM的非易失性單元基于SONOS技術。他們利用Fowler-Nordheim隧穿(FN隧穿)的優勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數據。FN隧道技術的主要優勢在于,它可以大大提高NV耐久性,并大大降低磨損。SONOS技術的另一個優點是易于集成到CMOS中(僅兩個附加的掩模)。這使得NV單元可以在每個存儲位中緊鄰6T SRAM單元放置,從而使SRAM到NV的傳輸全部并行進行,并且功耗非常低。


Nv SRAM的主要功能

· 64Kb至16Mb的設備
· 異步并行和ONFI 1.0接口選項
· 串行接口選項
· 存取時間低至20 ns
· 無限耐力
· 無需電池即可存儲斷電數據;符合RoHS
· 可選的實時時鐘(RTC)


關鍵詞:SRAM
 
 
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