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武漢新芯50nm高性能SPI Nor Flash

來源: 日期:2020-06-10 10:43:35

武漢新芯一家領先的非易失性存儲供應商,宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI Nor Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC全線量產,產品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
 
XM25QWxxC產品系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封裝,在中高容量產品也將針對可穿戴設備等尺寸受限的應用推出WLCSP封裝,協助客戶將空間利用發揮到極致。全線產品支持KGD解決方案,并為客戶提供RDL服務,滿足客戶定制化的SiP需求。
 

XM25QWxxC系列產品在1.65V至3.6V電壓范圍內讀取速度可達133MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),工作溫度范圍可達-40℃到105℃。在電源電壓下降后,時鐘速度沒有任何減慢,其傳輸速率可以勝過8位和16位并行閃存。在連續讀取模式下能實現高效的存儲器訪問,僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址,從而實現真正的XIP操作。
 
 
XM25QWxxC系列產品采用業界先進的50nm FloaTIng Gate工藝,在性能和成本方面進一步提高了競爭力。針對快速發展的IoT和5G市場,武漢新芯將持續投入研發自有品牌的閃存產品,不斷拓展產品線,為客戶帶來更多高性價比的產品與解決方案。
 


關鍵詞:  SPI Nor Flash 武漢新芯

 
上一篇文章:MRAM可以替代NOR或SRAM

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