美國ISSI存儲器公司的主要產品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設計和銷售NOR閃存存儲器產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。近年來對復雜半導體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車，通信和數字消費以及工業和醫療市場。這些存儲產品需要增加內存內容，以幫助處理大量數據。介紹一款ISSI具有ECC的1Mx8高速異步SRAM的一些特征方面知識.
 
ISSI IS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速異步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS技術制造，這種高度可靠的工藝技術與創新的電路設計技術相結合，可生產出性能更高且功耗更低的器件。當CE為高電平（取消選擇）時，器件采用待機模式，在該模式下可以通過CMOS輸入電平來降低功耗。
 
IS61/64WV10248EDBLL采用單電源進行供電，所有輸入均兼容TTL。IS61WV10248EDBLL采用48球微型BGA（6mmx8mm）和44引腳TSOP（II型）封裝。

功能框圖
 

 
特征
•高速訪問時間：8、10、20ns
•高性能，低功耗CMOS工藝
•多個中心電源和接地引腳，增強了抗噪能力
•通過CE和OE選項輕松擴展內存
•CE掉電
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•TTL兼容輸入和輸出
•可用軟件包：
–48球mini BGA（6mmx8mm）
–44引腳TSOP（II型）
•工業和汽車溫度支持
•無鉛
 
 
引腳配置