隨著有希望的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲(chǔ)器，新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過(guò)將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢(shì)來(lái)增強(qiáng)動(dòng)力.
 
什么是STT-MRAM？
 
嵌入式存儲(chǔ)器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM，相變存儲(chǔ)器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。
 
STT-MRAM是一種電阻存儲(chǔ)技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變化會(huì)產(chǎn)生可測(cè)量的電阻率變化。從概念上講，每個(gè)單元由兩個(gè)磁體組成：一個(gè)是固定的，另一個(gè)是可以翻轉(zhuǎn)的。當(dāng)磁體彼此平行時(shí)，電阻低。當(dāng)?shù)诙€(gè)磁鐵反轉(zhuǎn)方向時(shí)，電阻很高。
 
由于磁性隧道結(jié)（MTJ）器件能夠通過(guò)僅三個(gè)額外的掩膜嵌入芯片的線路后端（BEOL）互連層，因此STT-MRAM技術(shù)享有低功耗和低成本的優(yōu)勢(shì)。在商業(yè)代工廠中，STT-MRAM的支持正在加速發(fā)展，GlobalFoundries，英特爾，三星，臺(tái)積電和聯(lián)電都已公開(kāi)宣布為28nm / 22nm技術(shù)的SoC設(shè)計(jì)人員提供產(chǎn)品。

 
系統(tǒng)設(shè)計(jì)師正在將STT-MRAM技術(shù)用于低功耗MCU設(shè)計(jì)（例如IoT穿戴式設(shè)備），這些設(shè)計(jì)可以從較小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM通常會(huì)為這些早期采用者取代嵌入式閃存。對(duì)于自動(dòng)駕駛雷達(dá)SoC，STT-MRAM的數(shù)據(jù)保留和密度是顯著的優(yōu)勢(shì)。在不久的將來(lái)，STT-MRAM將用于最終應(yīng)用（例如超大規(guī)模計(jì)算，內(nèi)存計(jì)算，人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)）中替代SRAM。
 
Everspin Technologies，Inc是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)銷(xiāo)售MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源，工業(yè)，汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。everspin代理宇芯電子可提供技術(shù)支持及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品一體系服務(wù)。


Everspin STT-MRAM

型號(hào)	容量	位寬	電壓	速度	封裝	溫度
EMD4E001G08G1-150CAS1	1Gb	128Mb x8	--	667MHz	Commercial	78-BGA
EMD4E001G08G1-150CAS1	1Gb	128Mb x8	--	667MHz	Commercial	78-BGA
EMD4E001G16G2-150CAS1	1Gb	64Mb x16	--	667MHz	Commercial	96-BGA
EMD4E001G16G2-150CAS1R	1Gb	64Mb x16	--	667MHz	Commercial	96-BGA
EMD3D256M16G2-150CBS1	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
EMD3D256M08G1-150CBS1	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
EMD3D256M16G2-187CBS2T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-187CBS2R	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS2T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS2R	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-187CBS2T	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-187CBS2R	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS2T	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS2R	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS1T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS1R	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS1T	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS1R	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85

 

關(guān)鍵詞：   MRAM    Everspin MRAM