IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。
 
當CS1為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）或CS1為低電平時，CS2為高電平且LB和UB均為高電平時，器件將進入待機模式，在該模式下可以通過CMOS輸入降低功耗水平。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許高字節（UB）和低字節（LB）訪問。
 
IS62WV51216EALL和IS62WV51216EBLL封裝在JEDEC標準的48引腳微型BGA（6mmx8mm），44引腳TSOP（II型）和48引腳TSOP（I型）中。
 
512Kx16低壓超低功耗sram主要特征
•高速訪問時間：45ns，55ns
•CMOS低功耗運行
–36mW（典型值）運行
•TTL兼容接口級別
•單電源
–1.65V–2.2VVDD（62/65WV51216EALL）
–2.2V--3.6VVDD（62/65WV51216EBLL）
•高低字節數據控制
•汽車溫度（-40oC至+125oC）
 
異步SRAM廣泛的解決方案
-提供x8，x16和x32配置
-5V/3.3V/1.8VVDD電源
-商業，工業和汽車溫度（-40°C至125°C）支持
-BGA，SOJ，SOP，sTSOP，提供TSOP軟件包
•ECC功能可用于高速異步SRAM
•長期支持
 

關于ISSI
ISSI是為汽車、通信，數字消費和工業及和醫療主要市場設計開發和銷售高性能集成電路的技術領導者。主要產品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。還設計和銷售NOR閃存產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。近年來對復雜半導體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車，通信，數字消費，工業和醫療市場。這些產品需要增加內存容量，以幫助處理大量數據。ISSI代理支持提供產品產品相關技術方案。
 
 
關鍵詞：SRAM    異步SRAM