MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數據在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路會在掉電時自動保護數據，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。為了簡化容錯設計，MR4A16B包含內部單個糾錯碼，每64個數據位具有7個ECC奇偶校驗位。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用，MR4A16B是理想的存儲器解決方案。
 
MR4A16B提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄型薄型外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產品和其他非易失性RAM產品兼容。MR4A16B在很寬的溫度范圍內提供了高度可靠的數據存儲。該產品提供商業(yè)溫度（0至+70°C）和工業(yè)溫度（-40至+85°C）工作溫度選項。最新的Everspin產品信息及選購，請接洽代理宇芯電子銷售。
 
MR4A16B 1M x 16 MRAM
•+3.3伏電源
•35 ns的快速讀寫周期
•SRAM兼容時序
•無限的讀寫耐久性
•溫度下，數據始終保持非易失性超過20年
•符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封裝
•所有產品均符合MSL-3濕度敏感度標準
•一個存儲器取代了系統中的FLASH，sram，EEPROM和BBSRAM，從而實現了更簡單，更高效的設計
•通過更換電池供電的SRAM來提高可靠性
 
關于Everspin
Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。在包括40nm，28nm以及更高技術節(jié)點在內的先進技術節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。此外，Everspin在亞利桑那州錢德勒擁有并運營一條集成的磁性生產線，Everspin在此生產基于180nm，130nm和90nm工藝技術節(jié)點的MRAM產品。產品包裝和測試業(yè)務遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。


MR4A16B型號表

型號	容量	位寬	封裝	電壓	溫度	MOQ(pcs) /Tray	MOQ(pcs) /T&R
MR4A16BCMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃	480	2500
MR4A16BMA35	4Mb	1Mx16	48-BGA	3.3V	0℃to +70℃	480	2500
MR4A16BCYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃	216	1000
MR4A16BYS35	4Mb	1Mx16	54-TSOP	3.3V	0℃to +70℃	216	1000

關鍵詞：MRAM    宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。