存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)的關鍵組件之一，由DRAM與Nand Flash所主導的主導的存儲市場規(guī)模已超過1600億美元。而隨著處理器性能的不斷提升，滿足市場對速度和容量的需求，打破“存儲墻”的限制，業(yè)界開始試圖突破馮諾依曼架構，由此新興存儲技術走進了市場的視線范圍內(nèi)。
 
MRAM、RRAM和PCRAM被行業(yè)視為是新興的三大存儲技術。這些技術的出現(xiàn)不僅引起了老牌存儲廠商的注意，也吸引了一些新玩家的加入，在他們的共同推進之下，近些年來新興存儲技術也開始逐漸步入商業(yè)化階段。在這個過程中，新興存儲技術又為存儲市場又迎來了新一輪的變革。
 
由于相較于DRAM，PCRAM能夠提供更低的功耗和成本，并且比固態(tài)硬盤和硬盤驅動器具有更高的性能。由此也引起了一些廠商的注意。
 
另一值得注意的是MRAM的發(fā)展。行業(yè)認為，MRAM除了其具備更好的儲存效能外，更重要的是，現(xiàn)今的處理器(CPU)制程不停朝微縮化邁進，以因應高速運算需求。因此MRAM獲得了很多廠商的關注，在這個過程當中也產(chǎn)生了一些變體，包括STT-MRAM、SOT-MRAM等 。在MRAM的發(fā)展過程當中，臺積電、三星和Everspin等幾家晶圓代工廠商的加入也被行業(yè)視為是內(nèi)存市場的一次巨大轉變。
 
雖然MRAM技術被業(yè)界所看好，但從商業(yè)化推進上看，其在發(fā)展的道路仍充滿挑戰(zhàn)。由此或許我們可以將之理解成為，在MRAM推進商業(yè)化的過程當中，市場也會對相關企業(yè)進行一次大浪淘沙。

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