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32Mb高速SRAM芯片ISSI IS61WV204816BLL

來源: 日期:2021-07-14 10:42:10

ISSI 32Mb高速SRAM ISSI IS61WV204816BLL是高速32Mb靜態RAM,以16位2048K字的形式組織。采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術帶來的是高性能和低功耗的器件。
 
當CS#為“高”(取消選擇)時,器件進入待機模式,功率耗散可隨CMOS的輸入電平降低。簡單的存儲器擴展則通過芯片使能和輸出使能輸入實現。有源“低”寫使能(WE#)控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許高位字節(UB#)和低位字節(LB#)存取。采用JEDEC標準48引腳TSOP(I類)和48引腳mini BGA(6mmx8mm)封裝。該型號SRAM適合應用于汽車和電信/網絡。
 
特性
•高速存取時間:10ns,12ns
•高性能、低功耗CMOS工藝制造
•多個中心電源和接地引腳提高了噪聲抗擾度•
•CS#和OE#便于存儲器擴展
•TTL兼容型輸入和輸出
•單電源
-VDD2.4V至3.6V
•提供的封裝:
-48引腳mini BGA(6mmx8mm)
-48引腳TSOP(I類)
•支持工業和汽車溫度
•提供無鉛規格
•高位和低位字節的數據控制

關鍵詞:SRAM
 
 

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