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STT-MRAM突破到10nm以下

來源：日期：2024-01-15 14:53:13

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MRAM是一種非易失性存儲技術，可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。 MRAM具有近乎無限的耐久性及高可靠性，是能夠滿足電子應用程序中這種市場需求的非易失性存儲器，

非易失性存儲器即使在電源關閉時也能保留信息，有望顯著降低汽車、人工智能和物聯網等應用中半導體集成電路的功耗。目前，自旋電子學被用作非易失性存儲器?；谠摷夹g的自旋轉移矩磁阻存儲器（STT-MRAM）的商業化正在取得進展。

該存儲器采用鈷鐵硼（CoFeB）層夾在氧化鎂（MgO）層之間的結構，作為存儲數據的磁隧道結（MTJ）元件的存儲層。該器件的數據保留特性取決于垂直磁各向異性和元件尺寸，這種結構滿足1Xnm一代汽車半導體集成電路所需的數據保留特性。

本文關鍵詞：STT-MRAM

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STT-MRAM突破到10nm以下