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各大廠商擴產Flash 面臨殺價潮

來源: 日期:2018-04-03 15:21:12

全球存儲芯片龍頭三星電子今年正式宣布,將在三年內斥資70億美元,用以擴大中國西安廠區儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產能,這是繼DRAM擴產之后,三星在存儲產能的又一重要戰略。
 
據悉,三星位于西安的存儲工廠,目前主力產品為NAND Flash。按照三星計劃,新廠竣工后,西安NAND Flash月產能將由目前的12萬片增至20萬片,增幅67%。
 
2018年三星NAND FLASH的出貨量將會在同比增長36%,業界預測,三星2017年的增長主要是由平澤工廠的50K 3D NAND創造的,到2018年Q4,這個數字將會達到100K。但是總體數量的增加應該還是保持在個位數,根據預測,到2018年,三星3D NAND的產量將會達到320K/月,同比增長了18%

                     
 
同時除了三星外,其他閃存產商也在進行NAND Flash產能的擴充。韓國大廠SK 海力士在去年8就表示要在十年內,在韓國利川、清洲等地加碼建置三座半導體廠房。現在SK 海力士對外公布了最新的新廠投資計劃,SK 海力士表示,新廠選址在韓國清州市科技城,將于同年9月動工展開設計、今年8 月開始外殼結構與無塵室建構,并于2019 年6 月完工,而屆時的設備機臺安裝將視公司的遷移計劃而定,新廠總投資金額將高達2.2 兆韓元,主要用于擴大NAND Flash 產能。
 
海力士新建的利川M14 廠雖將于明年轉進3D NAND Flash 量產,但官方更加清楚的表示,為了應對接下來3D NAND Flash 滲透率不斷攀升、加以建廠時需兩年,因此決議提前新建廠房布局。
 
另外,據報導,東芝 ( Toshiba )存儲器事業合作伙伴西部數據(Western Digital)將在未來3年內對雙方的合資事業投資5,000億日圓,除了將用于四日市工廠新廠房的興建費用之外、還將充作預計2020年啟用的北上工廠的投資資金。
 
去年底,東芝宣布Fab 7興建計劃,并表明未來每年將投入三千數百億日圓進行投資。
 
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,東芝Fab 7將廠址改設在巖手縣北上市,該廠投入量產的時程將落在2019年下半年后,主要投產96層以上的3D-NAND Flash,對整體產出真正產生影響將在2020年。
 
DRAMeXchange分析指出,基于各家供貨商皆在3D-NAND Flash具體新增產能,在2019年以后3D-NAND Flash市場預期會再度進入供過于求格局。
 
IHS Markit報告預估,明年全球NAND Flash供給將提高39.6%至2,441億GB。其中三星電子將帶頭增產,預料供給將增39%至879億GB。與此同時,明年全球NAND需求提高36.7%至2,424億GB,供給超出需求17億GB,供給過剩比率約為0.7%。這將會使得閃存邁入新一輪的殺價潮。
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