MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機器設備廠商也出力甚多，這是幾家大機器設備廠商先后投入這即將興起設備市場良性競爭的結果。MRAM相關制程主要有磁性材料的蝕刻與濺鍍兩種設備，最近新機型的濺鍍設備表現(xiàn)令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升。
 
微縮的進展來自于材料和制程的進步：MRAM中記憶單元MTJ (Magnetic Tunnel Junction；磁性穿隧結)中磁性材料的PMA (Perpendicular Magnetic Anisotropy；垂直磁各向異性)加大了3倍。用白話來說，磁鐵的磁性變強了，因此用較小的磁鐵，其磁矩也足以抵抗熱擾動，長久保存資料，所以MTJ可以變小。
 
但是目前MRAM微縮的瓶頸不在于MTJ，而是在于晶體管。主要原因是翻轉MTJ中磁矩的效率都有待改進－不管是以前用電流產生的磁場來翻轉磁矩，或者是目前的STT (Spin Transfer Torque；自旋移轉轉矩)。翻轉磁矩要有足夠大的寫入電流，晶體管就要夠大。但是由于上述PMA的改善，MTJ可以縮小，要翻轉它的磁矩所需的電流下降，晶體管可以再微縮，功耗也下降了，寫入速度變快。以前MRAM中的資料如果要維持10年，MTJ的直徑必須在30nm以上?，F(xiàn)在有PMA的長進，三星預計2020年MRAM達到16nm是充分可能的。
 
MRAM如果當成單獨(stand-alone)存儲器，它只是存儲器的一種，而且價格暫時還壓不下來，只能在特定利基市場應用。如果應用在嵌入式存儲器，它幾乎是不可或缺的。
 
MRAM中記憶單元MTJ 由多層的磁性、氧化物、金屬等薄膜所構成，這些薄膜有些只有幾個分子厚。MTJ的特殊性質PMA 產生記憶單元所需磁矩的物理特性－則是由磁性薄膜與氧化層的界面效應所決定。MTJ的元件表現(xiàn)深受薄膜質量所影響，所以濺鍍設備性能的提升將有助于晶圓廠MRAM制造良率的改善。

而作為MRAM領先的EVERSPIN供應商，其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎。

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