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美國ISSI SRAM芯片IS62C10248AL

來源：宇芯有限公司 日期：2020-04-27 10:00:23

公司介紹

美國ISSI公司近年來，對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車，通信，數(shù)字消費，工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。該公司還設(shè)計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。下面介紹該品牌旗下的低功耗SRAM芯片IS62C10248AL
 
IS62C10248AL描述

ISSI  IS62C10248AL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為1M字乘8位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS1為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，可以通過CMOS輸入電平降低功耗。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。
 
IS62C10248AL封裝在JEDEC標(biāo)準的48引腳微型BGA（9mm x 11mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。
 
IS62C10248AL引腳配置（1M x 8低功耗）
 
48針迷你BGA（B）（9mm x 11mm）                           44引腳TSOP（II型）
 
 
 
IS62C10248AL特征
•高速訪問時間：45ns，55ns
•CMOS低功耗運行
– 36 mW（典型值）運行
– 12 µW（典型值）CMOS待機
•TTL兼容接口級別
•單電源
– 4.5V--5.5V Vdd
•三態(tài)輸出
•汽車溫度（-40oC至+ 125oC）
•無鉛


美國ISSI SRAM部分型號

型號 容量 位寬 電壓 速度（ns） 封裝
IS62C5128BL 4Mb 512Kx8 5V 45 SOP(32),TSOP1(32),sTSOP1(32)
IS62C1024AL 1Mb 128Kx8 5V 35 SOP(32),TSOP1(32)
IS62C256AL 256Kb 32Kx8 5V 25,45 SOP(28),TSOP1(28)
IS62C10248AL 8Mb 1Mx8 5V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
IS62C51216AL 8Mb 512Kx16 5V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)
IS62C25616BL 4Mb 256Kx16 5V 45 TSOP2(44)

 
關(guān)鍵詞：IS62C10248AL  SRAM
 
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