ISSI公司是為汽車、通信、數字消費以及工業和醫療等主要市場設計和開發高性能集成電路的技術，主要產品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。以具有成本效益的高質量半導體產品瞄準高增長市場。是內存產品的長期供應商，包括低密度和小批量產品，即使在制造能力緊張的時期也是如此。
 
ISSI產品型號IS61WV3216DBLL-10TLI-TR采用ISSI的高性能CMOS技術制造，是一款容量為512Kbit的高速靜態SRAM存儲芯片，位寬32Kx16。這種高度可靠的工藝結合創新的電路設計技術，產生了高性能和低功耗的器件。
 
當CE為高電平（取消選擇）時，器件進入待機模式，在該模式下，功耗可以通過CMOS輸入電平降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE，可以輕松擴展內存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許高字節(UB)和低字節(LB)訪問。IS61WV3216DBLL-10TLI-TR采用JEDEC標準44-pinTSOP TypeII封裝
 
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR特征
高速：IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
•高速訪問時間：8、10、12、20ns
•低有功功率：135mW（典型值）
•低待機功耗：12µW（典型值）
CMOS待機
低功耗：IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
•高速訪問時間：25、35ns
•低有功功率：55mW（典型值）
•低待機功耗：12µW（典型值）
CMOS待機
•單電源
—Vdd2.4V至3.6V
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•三態輸出
•高字節和低字節的數據控制
•工業和汽車溫度支持
•無鉛可用

關鍵詞： ISSI代理,SRAM,IS61WV6416EEBLL