ISSI型號IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串口SRAM，ISSI采用低功耗CMOS技術，位寬8*512K字節。它是兩個2Mb串行SRAM的雙芯片堆棧。串行SRAM旨在直接與串行外設接口(SPI)連接。它還可以與MultiIOSPI接口（DualSPI和QuadSPI）連接。該器件包含一個8位指令寄存器。
 
IS62WVS5128FBLL-20NLI該設備通過一個簡單的串行外設接口(SPI)兼容串行總線進行訪問。所需的總線信號是時鐘輸入(SCK)加上單獨的數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。通過片選(CS#)輸入控制對器件的訪問。如果應用需要更快的數據速率，則支持SDI（串行雙接口）和SQI（串行四接口）。該器件還支持對存儲器陣列的無限讀取和寫入。
 
IS62WVS5128FBLL-20NLI可用于讀取和寫入的字節、頁和順序模式，支持的溫度范圍為工業溫度-40℃至+85℃，汽車溫度-40℃至+125℃，采用標準8引腳SOIC封裝。
 
主要特點
•SPI兼容總線接口：
-16/20MHz時鐘頻率
-SPI/SDI/SQI模式
•低功耗CMOS技術：
-讀取電流：3.6V、20MHz、85°C時為16mA（最大值）
-CMOS待機電流：8mA(typ)
•512Kx8位組織：
-32字節頁面
•用于讀取和寫入的字節、頁和順序模式
•支持的溫度范圍：
-工業(I)：-40℃至+85℃
-汽車(A3)：-40℃至+125℃
•符合RoHS
-8引腳SOIC封裝

ISSI主要是為汽車，通信，數字消費，以及工業和醫療市場設計和開發和銷售高性能集成電路的技術領導者。主要產品是高速低功耗SRAM 和中低密度 DRAM。還設計和銷售 NOR 閃存產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。

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