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基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
本文由Everspin代理商宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯
2020-11-17
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Flash存儲器的故障特征
與RAM 不同的是,Flash存儲器除了具有一些典型的存儲器故障類型外,還會出現(xiàn)一些其它的故障類型，例如 NOR類型的Flash還會出現(xiàn)以下主要故障類型
2020-11-13
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超低功耗MCU如何降低功耗
低功耗是MCU的一項非常重要的指標(biāo)，比如某些可穿戴的設(shè)備，其攜帶的電量有限，如果整個電路消耗的電量特別大就會經(jīng)常出現(xiàn)電量不足的情況。
2020-11-11
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讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)
MRAM寫入操作的長延時和較高的功耗成為其瓶頸，阻礙了其性能的進一步提高。讀取優(yōu)先的寫緩存器和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)這兩種策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。
2020-11-09
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MRAM高速緩存的組成
磁阻式隨機存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機
2020-11-05
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磁存儲芯片STT-MRAM的特點
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進步,芯片工藝制程的不斷演進和成本的不斷降低,半導(dǎo)體芯片廣泛應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)、個人終端、汽車電子、可穿戴設(shè)備、工
2020-11-03
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