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NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別
1 1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進行訪問，可以很容易
2020-10-30
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鐵電隨機存儲器FRAM和磁性隨機存儲器MRAM
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。鐵電隨機存儲器（FRAM)FRAM的核心
2020-10-28
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斷電也能保存MRAM技術(shù)精髓
內(nèi)存技術(shù)在幾十年的發(fā)展過程中性能提高了不少，但并沒有實質(zhì)性的改變。因為這些內(nèi)存產(chǎn)品都是基于動態(tài)隨機訪問存儲器DRAM的，一旦沒有持續(xù)的
2020-10-26
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幾種非易失性存儲器的比較
SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的
2020-10-21
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非易失性MRAM及其單元結(jié)構(gòu)
MRAM的優(yōu)異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內(nèi)存及EEPROM閃存，作為新一代計算機的內(nèi)存。MRAM目前是新一代計算機內(nèi)存的最佳候選者，但
2020-10-19
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鐵電RAM與串行SRAM替換時需要考慮的因素
FRAM與SRAM互相代替時，需要提及一些細微之處。本篇文章介紹這些細微差別，并重點介紹可以采取的緩解措施。當(dāng)采取這些預(yù)防措施時，重要的是要了解所使用的FRAM版本。
2020-10-15
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