3D NAND閃存：140億美元（包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長(zhǎng)） 

DRAM：70億美元（用于流程遷移和彌補(bǔ)由于遷移造成的容量損失的額外容量） 代工/其他：50億美元（用于提升10納米制程能力）

　　
IC Insights認(rèn)為，今年三星的巨額支出將會(huì)對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)未來格局產(chǎn)生巨大影響。 3D NAND閃存市場(chǎng)可能因此出現(xiàn)產(chǎn)能過剩時(shí)期。 這種產(chǎn)能過剩的情況不僅是由于三星在3D NAND閃存方面的巨額支出，而且也是由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手（例如美光，SK海力士，東芝，英特爾等公司）的大力投入所引起。 換言之，三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在這種情況下只能提高產(chǎn)能，不然只能坐吃山空。

　　
IC Insights認(rèn)為，三星半導(dǎo)體的資本開支預(yù)計(jì)將會(huì)抑制中國(guó)儲(chǔ)存器廠商的發(fā)展，因?yàn)橐欢ǔ潭壬希麄冊(cè)诖驌糇灾靼l(fā)展的中國(guó)廠商與存儲(chǔ)器巨頭同場(chǎng)競(jìng)技的資格。那么，中國(guó)儲(chǔ)存器廠商應(yīng)該思考未來何去何從，這才是當(dāng)務(wù)之急。

 

本文關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體   存儲(chǔ)器

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