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SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析
一個(gè)典型的SRAM基本結(jié)構(gòu)中，每個(gè)存儲(chǔ)單元都通過(guò)字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲(chǔ)單元有電學(xué)連接關(guān)系。水平方向的連線把所有的存儲(chǔ)單
2020-04-28
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美國(guó)ISSI SRAM芯片IS62C10248AL
美國(guó)ISSI公司近年來(lái)，對(duì)精密半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)展到了汽車(chē)，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)
2020-04-27
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Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF
串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。
2020-04-26
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美光低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡(luò)
美光LPDDR5 DRAM內(nèi)存能滿足多個(gè)行業(yè)對(duì)內(nèi)存更高性能和更低功耗日益增長(zhǎng)的需求，這不僅僅局限于移動(dòng)行業(yè)，還包括汽車(chē)、個(gè)人電腦以及為5G和AI應(yīng)用打造的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。美光LPDDR5 DRAM內(nèi)存具備以下功
2020-04-24
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新型存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器介質(zhì)特性對(duì)比
在非易失性MRAM存儲(chǔ)器方面，Everspin MRAM已經(jīng)有產(chǎn)品應(yīng)用于航空航天等特定領(lǐng)域，并于2019年開(kāi)始與格芯合作，試生產(chǎn)28nm制程的1Gb STT-MRAM產(chǎn)品。
2020-04-23
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Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存儲(chǔ)器
MR4A16B是一款3 3V、并行I O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無(wú)限制的讀 寫(xiě)循環(huán)。在每次寫(xiě)入后，資料能持續(xù)保存超過(guò)20年。
2020-04-22
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